6 月 8 日消息，SK 海力士于今日(6 月 8 日)發(fā)布公告，宣布開始量產(chǎn)238 層 4D NAND 閃存。

SK 海力士在公告中稱，已開始量產(chǎn) 238 層 4D NAND 閃存，并正在與生產(chǎn)智能手機(jī)的海外客戶公司進(jìn)行產(chǎn)品驗證。

SK 海力士強(qiáng)調(diào)：“公司以 238 層 NAND 閃存為基礎(chǔ)，成功開發(fā)適用于智能手機(jī)和 PC 的客戶端 SSD(Client SSD)解決方案產(chǎn)品，并在 5 月已開始量產(chǎn)。公司在 176 層甚至在 238 層產(chǎn)品，都確保了成本、性能和品質(zhì)方面的世界頂級競爭力，期待這些產(chǎn)品在下半年能夠起到改善公司業(yè)績的牽引作用。”

據(jù)介紹，238 層 NAND 閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的 176 層提升了 34%。此產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒 2.4Gb(IT之家注：千兆比特)，號稱比上一代的速度快 50%，并且改善了約 20% 的讀寫性能。

SK 海力士表示，計劃在完成智能手機(jī)客戶公司的驗證后，首先向移動端產(chǎn)品供應(yīng) 238 層 NAND 閃存，隨后將其適用范圍擴(kuò)大到基于 PCIe 5.0的 PC 固態(tài)硬盤(SSD)和數(shù)據(jù)中心級高容量固態(tài)硬盤產(chǎn)品等。

SK 海力士在 2018 年研發(fā)的 96 層 NAND 閃存就導(dǎo)入了 4D 方式，采用電荷捕獲型技術(shù) (CTF，Charge Trap Flash)和 PUC(Peri. Under Cell)技術(shù)。相比 3D 方式，4D 架構(gòu)號稱具有單元面積更小、生產(chǎn)效率更高的優(yōu)點(diǎn)。